威上電子上海廠與研發樓

本案位於上海市南匯康橋工業園區,西臨申江路,北靠康威路,建設內容包括F1研發大樓及F2棟主廠房,包括地下雨水回收室、警衛室等,全區建設按統一規劃,分期施工原則進行。

整體配置通過景觀設計手法將園區內建築與周邊環境串聯,強化員工在此工作的歸屬和責任感,科技與人文之企業文化於此傳承與延續。

F1立面造型以水平延伸的玻璃帷幕,搭配樓層樑帶之鋁板幕牆,整體建築簡潔俐落。F2利用窗臺與牆體的進退,使立面產生鮮明的虛實對比及陰影效果,外牆材質利用帷幕玻璃、鋁板與外遮陽百葉板所構成,量體輪廓線搭配景觀綠化的自然背景。

座落地點 : 上海市南匯康橋工業園區

結構系統 : 鋼筋混凝土

基地面積 : 42,500㎡

建築面積: F1: 4,040㎡ 、F2:12,425㎡

總樓地板面積: F1:20,344㎡、F2:48,350㎡

層數 : F1:地上五層,地下一層、F2:地上五層,地下一層

設計階段: F1:2011.06 – 2013.05、F2:2011. 06 – 2013.05

施工時間: F1:2012.12 – 2014.11

類別: 研究發展、製造/生產

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