威上電子上海廠與研發樓
本案位於上海市南匯康橋工業園區，西臨申江路，北靠康威路，建設內容包括F1研發大樓及F2棟主廠房，包括地下雨水回收室、警衛室等，全區建設按統一規劃，分期施工原則進行。
整體配置通過景觀設計手法將園區內建築與周邊環境串聯，強化員工在此工作的歸屬和責任感，科技與人文之企業文化於此傳承與延續。
F1立面造型以水平延伸的玻璃帷幕，搭配樓層樑帶之鋁板幕牆，整體建築簡潔俐落。F2利用窗臺與牆體的進退，使立面產生鮮明的虛實對比及陰影效果，外牆材質利用帷幕玻璃、鋁板與外遮陽百葉板所構成，量體輪廓線搭配景觀綠化的自然背景。
座落地點 : 上海市南匯康橋工業園區
結構系統 : 鋼筋混凝土
基地面積 : 42,500㎡
建築面積: F1: 4,040㎡ 、F2:12,425㎡
總樓地板面積: F1:20,344㎡、F2:48,350㎡
層數 : F1:地上五層，地下一層、F2:地上五層，地下一層
設計階段: F1:2011.06 – 2013.05、F2:2011. 06 – 2013.05
施工時間: F1:2012.12 – 2014.11
類別: 製造/生產、研究發展
